Закономерность образования структурных дефектов в полупроводниках A2B6

Рассматриваются вопросы дефектообразования в легированных и нелигированных примесями монокристаллах полупроводников А2В6 и кремния при термообработках и облучении ионами и электронами с под- и надпороговыми энергиями. Обсуждаются особенности формирования структурных дефектов в эпитаксиальных пленках и сверхструктурах полупроводников А2В6, выращенных методами металлорганической парофазовой и молекулярно-пучковой эпитаксии. В основе книги лежат результаты исследований, выполненных авторами в Красноярском государственном университете (Россия), Кембриджском и Дарлемском университетах (Великобритания). Для специалистов в области физики полупроводников. Может быть полезна аспирантам и студентам вузов, обучающимся по соответствующим специальностям и направлениям.